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ENUF
Evaluation of Novel Ultra-Fast selective III-V Epitaxy
Le responsable scientifique
Yamina ANDRE, Maître de Conférences à l'Institut Pascal.
Le résumé
Il est financé par l'instrument "European Research Council (ERC) - Proof of Concept Grant" du programme cadre européen Horizon 2020 qui permet aux chercheurs lauréats d'une bourse ERC de valoriser les résultats de leur recherche et mettre en valeur le potentiel d'innovation d'une idée émanant de leur projet.
ENUF fait ainsi suite au projet ERC Starting Grant PLASMIC (2016-2021), porté par le Dr. Kirsten Emilie Moselund (IBM - Zurich).
Le but du projet ENUF est d’intégrer des couches de cristaux semiconducteurs de la filière des matériaux III-V à haut rendement optique et électronique, dans la filière silicium (Si), le matériau le plus utilisé dans l’industrie de la microélectronique. Ces deux familles de matériaux semiconducteurs, III-V et Si, présentent des propriétés de morphologie cristalline très différentes, et la fabrication de composants hybrides III-V sur Si par croissance cristalline ou épitaxie, demeure aujourd’hui un véritable challenge.
Dans ENUF, l’objectif est de combiner deux méthodes de croissance différentes : la HVPE (Epitaxie en Phase Vapeur par la Méthode aux Hydrures) développée par l’UCA, expert mondial dans le domaine et la MOVPE (Epitaxie en Phase Vapeur aux Organométalliques) développée à IBM Zurich pour parvenir à cette intégration via l’épitaxie TASE (Template Assisted Selective Epitaxy). Ce procédé innovant d'épitaxie localisée contrôlée permet de pallier l'inadéquation de morphologie cristalline.Des composants de nouvelle génération en termes de coût et d'efficacité énergétique pourront ainsi être développés.
Les chiffres clés
Durée : 2 ans (Janvier 2019 à Décembre 2020)
Budget total du projet : 150 000 €
Budget alloué à l'UCA : 75 000 €
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